ONLINE: Halbleiter mit großer Bandlücke

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Dieser Vortrag wird vor begrenztem Publikum im Magnus-Haus gehalten und ist gleichzeitig online zu verfolgen. Die vorherige Anmeldung ist in beiden Fällen verpflichtend. Melden Sie Ihre persönliche Teilnahme an oder fordern Sie die Zugangsdaten für die Online-Teilnahme mit obigem Link an.
Die Zahl der vor Ort Teilnehmenden ist aus Infektionsschutzgründen auf 32 Personen begrenzt. Ein aktueller, negativer Corona-Test bzw. ein Impf- bzw. Genesungsnachweis muss beim Einlass vorgezeigt werden. Im Magnus-Haus sind das Tragen einer Mund-Nasen-Bedeckung (außer während des Vortrags), die Händedesinfektion am Einlass und die Besucherdatenerfassung zwecks Nachverfolgbarkeit von Infektionsketten obligatorisch. Kein Einlass nach Beginn der Veranstaltung. Bei Verhinderung sagen Sie bitte schnellstmöglich ab, damit Wartende nachrücken können. Kommen Sie bitte nicht, wenn Sie bei sich Symptome einer möglicher SARS-Covid-19-Infektion (Erkältungssymptome) feststellen.

Eine gemeinsame Veranstaltung der Physikalischen Gesellschaft zu Berlin e.V., der Freien Universität Berlin, der Humboldt-Universität zu Berlin, der Technischen Universität Berlin und der Universität Potsdam ‒ gefördert durch die Wilhelm und Else Heraeus-Stiftung

Die Materialklasse der Oxid-Halbleiter mit großer Bandlücke hat industrielle Massenanwendung als transparente Elektroden und Transistoren in Touchscreens und Displays gefunden. Wir diskutieren physikalische Grundlagen und anwendungsrelevante Herausforderungen. Die meisten dieser Materialien sind vom n-Typ. Lösungen für den Mangel an geeigneten p-Typ Halbleitern stellen ggf. Materialien wie AB2O4-Spinelle (A=Zn, B=Co,Rh,Ir), Sn2+-Verbindungen oder Kupferiodid dar. Neue Fortschritte auf diesen Gebieten werden diskutiert. Großes Anwendungspotenzial von Halbleitern mit großer Bandlücke besteht auch in der Hochleistungselektronik. Als Fortsetzung der Erfolgsstory von Si und SiC in der Hochleistungselektronik gerät außer dem (Al,Ga)N-System die Ga2O3-basierte Elektronik in den Fokus, da hohe Durchbruchsfeldstärken mit der Verfügbarkeit großer Substratflächen kombiniert werden können. Wir berichten über Epitaxie und Eigenschaften der beiden Legierungssysteme (Ga,In)2O3 und (Al,Ga)2O3 in ihren verschiedenen Kristallphasen (monoklin, rhombohedrisch, orthorhombisch und kubisch).ießlich wird die Rolle und Bedeutung von Farbzentren in Diamant für die zukünftige Festkörperbasierte Quanteninformationstechnologie beleuchtet.

Moderation: Stefan Hildebrandt, Physikalische Gesellschaft zu Berlin