EUV-Lithographie

Die Photo-Lithographie ist einer der wichtigsten Schlüsselprozesse bei der Herstellung von Mikrochips. Mittels Lithographie-Optiken belichten Chiphersteller weltweit ihre Wafer mit Nanometer-Präzision - die Basis für die Fertigung von extrem leistungsfähigen Mikrochips. Lithographie-Optiken leisten einen entscheidenden Beitrag: Das Auflösungsvermögen der Projektionsoptik sowie die Fähigkeiten des Beleuchtungssystems beeinflussen entscheidend, wie klein die Strukturen auf einem Microchip sein können. Die Entwicklung der integrierten Schaltkreise („ICs“) folgt seit fast 6 Jahrzehnten „Moore’s Law“, das vorhersagt, daß sich die Transistordichte alle 2 Jahre verdoppelt, realisiert primär durch die Steigerung der Auflösung der Lithographie-Optik. Inzwischen hat die IC-Technologie den sogenannten „4nm-Knoten“ in Großserienproduktion und der „3nm-Knoten“ steht vor der Tür. Der Vortrag beleuchtet die Geschichte der optischen Lithographie von der g-Linie (436nm) bis zur EUV-Lithographie (13.5nm). Dabei wird gezeigt, wie mit unterschiedlichen Mitteln das durchgehende Ziel der gesteigerten Auflösung realisiert wurde. Das Funktionsprinzip eines EUV-Lithographie-Systems („Scanner“) mit der EUV-Optik als zentralem Element wird gezeigt. Ausführlich eingegangen wird auf den Aufbau und die extremen physikalisch-technischen Herausforderungen sowie die erzielten Leistungen der aktuellen EUV-Optik. Zur Fortsetzung von Moore’s Law und zur weiteren Steigerung der Auflösung ist derzeit die nächste Generation der EUV-Lithographie, genannt „High NA EUV“, in Vorbereitung. Sie stellt weitere, noch extremere Herausforderungen und erfordert eine völlig neue Fertigungsinfrastruktur. Dies wird hier umfassend vorgestellt.