HYBRID: Epitaxie neuartiger Materialien für die Halbleitertechnologie
Industriegespräche Mittelhessen
- Date:
- Mo, 27.01.2025 18:00 – Mo, 27.01.2025 19:00
- Speaker:
- Dr. Lutz Geelhaar, Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5–7, 10117 Berlin
- Address:
- Justus Liebig Universität Gießen
Heinrich-Buff-Ring 14, 35392 Gießen, Deutschland
Physikalische Institute, Hörsaal III
Der Vortrag kann parallel online verfolgt werden
- Registration required
- Language:
- Deutsch
- Contact person:
- Industriegespräche Mittelhessen,
- External Link:
- Anmeldung für Präsenzteilnahme im Hörsaal
Description
Produkte der Halbleitertechnologie wie z.B. LEDs, Signalverstärker in Smartphones sowie Wandler und Schalter für Elektromotoren oder Photovoltaik prägen unseren Alltag. Ihre Funktionalität beruht häufig auf dünnen Schichten von hoher Reinheit und Kristallinität. Die Herstellung solcher Schichten bezeichnet man als Epitaxie. Erst die Grundlagenforschung auf dem Gebiet der Epitaxie ermöglichte die Realisierung dieser Bauelemente, die dann auf den industriellen Maßstab hochskaliert und weiterentwickelt wurden.
Eine wichtige epitaktische Methode insbesondere für Grundlagenforschung stellt die Molekularstrahlepitaxie (MBE für Englisch molecular beam epitaxy) dar. Für diese Methode ist das Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI) ein weltweit einzigartiges Kompetenzzentrum. In diesem Vortrag wird aktuelle Forschung zur Epitaxie innovativer Materialien aus dem Bereich der Nitride, Oxide und Chalkogenide vorgestellt. Diese Materialforschung soll Bauelemente mit neuer oder verbesserter Funktionalität ermöglichen.